二极管1N4001和1N4007有什么区别?
二极管1N4001和1N4007的区别如下:1、1N4001高反向击穿电压50V，1N4007高反向击穿电压1000V。2、在满足最大反向电压的基础上可以用4007代替4001-4006扩展资料1、二极管1N4001是一种整流二极管，操作和存储温度为-65~175℃。IN4007可以替换，整流二极管1N4001和IN4007的区别仅仅是反向耐压不一样，其余参数都相同，如下所示：最大周期性方向峰值电压：50V最大有效值电压：35V最大直流闭锁电压：50V最大正向整流电流：1.0A典型结电容：30pF操作和存储温度范围：-65~175℃其余二极管参数：1N4002的反向峰值电压为100V；1N4003的反向峰值电压为200V；1N4004的反向峰值电压为400V；1N4005的反向峰值电压为600V；1N4006的反向峰值电压为800V；参考资料：二极管1N4001和1N4007---百度百科二极管---百度百科
整流二极管是什么
电流能限定在某个范围。
rectifier diode 整流二极管
一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有阳极和阴极两个端子。其结构所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性,其伏安特性和电路符号如图2所示。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。
1n4007二极管的参数
1N4007直插整流二极管基本参数：封装形式：DO-41。反向重复峰值电压：1000V。正向平均电流：1.0A。正向不重复浪涌电流：30A。正向峰值电压：1V。其次还有反向漏电流（Ta=25°C）：5uA。热阻（典型，结和环境之间）：55°C/W。热阻（典型，结和引线之间）：25°C/W。结温：-55°Cto125°C。储存温度：-55°Cto150°C。1N4007直插整流二极管主要特性：正向浪涌承受能力强。低反向漏电流：250℃/10秒，0.375“（9.5mm）引线长度。引线可承受5磅（2.3kg）拉力。高温焊接保证极性：色环端为负极。端子：镀锡轴向引线安装位置：任意。
