陶瓷靶材在磁控溅射时会出现哪些问题？
陶瓷靶材在磁控溅射时会出现以下问题：
1. 靶材开裂：陶瓷靶材因其脆性，容易在溅射过程中产生裂纹，严重时甚至会导致靶材碎裂。
2. 背靶脱靶：由于陶瓷靶材与基底结合不牢固，磁控溅射时背靶很容易脱离基底，导致溅射效率下降并且浪费靶材。
为了防止陶瓷靶材的开裂和背靶脱靶，可以采取以下措施：
1. 降低溅射功率：可以通过降低溅射功率来减缓靶材的受热速率，从而减少靶材的裂纹和断裂。
2. 使用较小的靶材：使用较小的陶瓷靶材可以降低靶材之间的应力，减少靶材开裂的可能性。
3. 选择合适的溅射气体：选择合适的气体可以减少靶材的热应力，并且可以使得靶材表面形成均匀的氧化层，从而增强靶材的稳定性。
4. 使用背靶固定装置：使用背靶固定装置可以保持背靶与基底的结合牢固，减少背靶脱靶的风险。
磁控溅射中的靶材分为金属合金靶和陶瓷靶，那像一些金属氧化物的靶材为什么叫陶瓷靶呢？
磁控溅射中的靶材确实分为金属合金靶和陶瓷靶。金属合金靶主要由纯金属或金属间的合金组成，而陶瓷靶主要由金属氧化物、氮化物、硼化物等无机非金属化合物组成。尽管金属氧化物的靶材含有金属成分，但它们被称为陶瓷靶的原因在于其结构和性质。
陶瓷是一种无机非金属材料，通常具有以下特点：
1. 高熔点和高硬度：与金属材料相比，陶瓷材料通常具有较高的熔点和硬度。
2. 良好的耐磨性和抗氧化性：由于其高硬度和稳定的化学性质，陶瓷材料通常具有良好的耐磨性和抗氧化性。
3. 低热导率和低电导率：与金属材料相比，陶瓷材料通常具有较低的热导率和电导率，表现出绝缘或半导体特性。
金属氧化物靶材，如ITO（锡-铟氧化物）、AZO（锆-铝氧化物）和ZnO等，虽然含有金属元素，但它们在结构和性质上与陶瓷材料更为接近。例如，它们具有较高的熔点、稳定的化学性质、低热导率和低电导率等特点。因此，将金属氧化物靶材称为陶瓷靶可以更好地反映其结构和性质，以便在溅射过程中选择合适的靶材。
我国具备研制高端芯片的基础吗？
十三五国家重点研发计划“光电子与微电子器件及集成”重点专项专家组组长、中科院半导体所副所长祝宁华表示，我国近年来不间断地支持光电子领域的科技创新，从“863”计划、“973”计划到国家自然科学基金等各类项目，都投入大量资金引导高校、科研院所和企业对光电子芯片和模块的关键技术进行了广泛而深入的研究，取得了丰硕的创新性成果。“当前我国已掌握中低端光电子器件关键技术，具备生产能力，但产能不足。在高端光电子器件研发方面，一些关键技术取得突破性进展，研制成功的原型器件通过系统功能验证，某些关键技术达到国际先进水平。”祝宁华介绍，仅从“863”计划的十二五规划来看，国家针对宽带通信、高性能计算机、骨干网络、光交换、接入网、无线通信和微波光波融合等领域方向中的光电子器件进行了重点部署。“这些研发项目有很多都是前瞻布局的，中兴通讯此次受到限制的所有芯片，在十二五和十三五国家研究计划中，都有相应的部署。”祝宁华说，半导体激光器被称为信息网络的心脏，可以看出以激光器为代表的光电子器件在通信系统设备中的重要作用。在光传输和交换设备中，光器件要占百分之六七十的成本比重，因此，我国近年来一直非常重视光电子器件的研究开发。祝宁华分析，当前我国在光电子高端芯片研制上已具备基本条件，无论技术积累还是资金投入，以及高端核心人才的培养和储备，都具备了一定基础条件。“只要国家选定面向未来信息网络急需的1—2类核心关键光电子芯片，集中资源，从设计、研发、器件制备到封装测试进行综合布局，同时通过国家引导、地方和企业的参与，构建完善的光电子芯片加工工艺平台，相信高端芯片研发的短板能够在5年内得到缓解。”据了解，为实现自主创新发展，我国于2008年实施了国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”，经过9年攻关，成功打造了我国集成电路制造业创新体系。专项实施前，国内集成电路制造最先进的量产工艺为130纳米，研发工艺为90纳米。9年来，我国主流工艺水平提升了5代，55、40、28纳米三代成套工艺研发成功并实现量产，22、14纳米先导技术研发取得突破，已研制成功14纳米刻蚀机、薄膜沉积等30多种高端装备和靶材、抛光液等上百种材料产品，性能达到国际先进水平。封装企业也从低端进入高端，三维高密度集成技术达到了国际先进水平。这一系列从无到有的突破，填补了产业链空白，使我国集成电路制造技术体系和产业生态得以建立和完善。十三五国家重点研发计划宽带通信和新型网络重点专项专家组成员、北京大学教授李红滨表示，近年来我国通信产业取得的成绩有目共睹。“从农用交换机和边沿设备起步，到现在通信设备产品全覆盖，从2G、3G再到4G、5G，我国的通信产业发展迅速，在通信系统技术方面已经位居世界前列。”李红滨表示，任何事物的发展都需要一个过程，我国通信行业也在经历一个从低端到高端的发展过程。“事实上，这些年已经有不少企业投入大量研发力量去做高端研发，有的企业在关键芯片上已持续不断地做了一二十年，也取得了创新性的成果。这是市场驱动的结果，也成为很多企业家的共识，企业要实现高质量发展、获取更多利润，必须在高端研发上投入更多精力。企业在投资研发高端芯片上的热情，可以用跃跃欲试和大势所趋来形容。”李红滨介绍，我国近年来在信息通讯领域加紧布局，组织实施了重大专项等多种项目，一些单凭企业自身无法实现的平台、装备等依靠国家投入已初见成效，今后将发挥更大作用。“只要我们坚持已有的开放、竞争合作、共同发展道路不动摇，集中政府、研发机构、企业的优势力量，相信用不了太久，在产业链高端——核心芯片上也必然会取得同样令世人瞩目的成就。”以上内容来自：人民网
什么是靶材？
靶材就是高速荷能粒子轰击的目标材料，通过更换不同的靶材（如铝、铜、不锈钢、钛、镍靶等），即可得到不同的膜系（如超硬、耐磨、防腐的合金膜等）。目前，（纯度）溅射靶材按照化学成分不同可分为：1）金属靶材（纯金属铝、钛、铜、钽等）。2）合金靶材（镍铬合金、镍钴合等）。3）陶瓷化合物靶材（氧化物、硅化物、碳化物、硫化物等）。按开关不同可分为：长靶、方靶、圆靶。按应用领域不同可分为：半导体芯片靶材、平面显示器靶材、太阳能电池靶材、信息存储靶材、具改性靶材、电子器件靶材、其他靶材。金属靶材的铝、钛、铜、钽，在半导体晶圆制造中，200mm( 8寸）及以下晶圆制造通常以铝制程为主，使用的靶材以铝、钛元素为主。300mm( 12寸）晶圆制造，多使用先进的铜互连技术，主要使用铜、钽靶材。
靶材是什么材料
靶材是制备薄膜的主要材料之一。利用高速荷能粒子轰击目标材料，与不同的激光（离子束）和不同的靶相互作用，获得不同的膜系，实现传导和阻隔功能。因此，靶材也被称为“溅射靶材”。离子源产生的离子在真空中加速并聚集，形成高速能量离子束，它轰击固体表面，离子与固体表面上的原子发生动能交换，使固体表面上的原子离开固体，沉积在衬底表面。被轰击的固体是溅射靶。主要应用于集成电路、平板显示器、太阳能电池、记录介质、智能玻璃等，对材料纯度和稳定性要求较高。江西国材科技-磁控溅射靶材
